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武田 全康; 遠藤 康夫*; 上條 敦*; Langridge, S.*; Dalgliesh, R.*; Her, J. H.*; Lee, K. B.*
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 28, p.23 - 26, 2003/11
この会議は、ナノ材料開発、特に薄膜ナノ構造,埋もれた界面の作製・制御において現在及び近未来に取り組むべき課題を整理し、X線・中性子を用いた先端解析技術によっていかに解決すべきであるかを明らかにすることを目的としている。発表者は、これまで偏極中性子と放射光を使って巨大磁気抵抗効果を起こす磁性人工格子の界面における原子配置の乱れとそれに誘起される磁気界面の乱れの相関に関する研究を行ってきた。これらの人工格子では、磁気界面の乱れが巨大磁気抵抗効果の発現に重要な役割を果たしていると言われているが、磁気界面の乱れを定量的に評価し巨大磁気抵抗効果と結びつけた研究は行われたことがない。この発表では、熱処理によって界面の乱れの度合いを人為的に変えたFe/Cr人工格子の磁気抵抗効果と原子配置の乱れ、そしてそれに誘起された界面における磁気的な乱れの相関を中性子とX線を用いた非鏡面反射率の測定結果から議論する。